山西烁科年产100万毫米碳化硅单晶项目启动山西烁科年产100万毫米碳化硅单晶项目是我省在第三代半导体产业领域的重要突破。

文 | 山西日报任志霞

7月30日上午，山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目在山西转型综改示范区正式启动。该项目是山西省在第三代半导体产业领域的重要突破，对推动区域经济高质量发展具有深远意义。

山西烁科晶体有限公司作为国内第三代半导体碳化硅单晶衬底生产和研发的领军企业，自2019年落户综改示范区以来，已先后突破“大尺寸低应力籽晶”“超高温化学气相沉积”等关键工艺，累计申请专利180余项，牵头制定行业标准4项，公司4—8英寸碳化硅衬底总产能跃居全球前三。去年12月，公司全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，围绕碳化硅基底刻蚀制备衍射光波导镜片的核心技术攻关，推动碳化硅刻蚀衍射光波导产品的研发与量产，有望令碳化硅AR眼镜在轻量化、高清显示与成本控制等多方面实现质的飞跃，加速开启消费级AR的“千元时代”。

此次启动的项目总投资约17亿元，投产后将新增100万毫米碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。值得一提的是，该项目是2024年全国碳化硅衬底领域唯一一个通过国家发展改革委、工业和信息化部“窗口指导”批复的大项目，彰显了其在行业内的重要地位和影响力，也标志着山西在第三代半导体材料赛道上继续领跑。